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CSD17327Q5A产品简介:
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CSD17327Q5A 是德州仪器(Texas Instruments)推出的单通道 N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET,采用 5mm × 6mm SON 封装,具有超低导通电阻(Rds(on) 典型值仅 9.9 mΩ @ VGS = 4.5 V)、快速开关特性及优异的热性能。其典型应用场景包括: - 同步降压转换器中的高侧/低侧开关:广泛用于笔记本电脑、平板、FPGA/ASIC 供电模块(如 POL,Point-of-Load)中,配合 TI 的 TPS54xx 系列 DC/DC 控制器或集成 DrMOS 方案,提升效率与功率密度。 - 电池供电设备的负载开关与电源路径管理:如便携式医疗设备、工业手持终端,利用其低 Rds(on) 和低栅极电荷(Qg ≈ 8.5 nC),减小导通损耗与驱动损耗,延长电池续航。 - 电机驱动与LED 驱动电路:适用于小型直流无刷电机(BLDC)的相位开关或 LED 背光调光中的 PWM 开关,支持高频(>1 MHz)工作,降低输出滤波器体积。 - 热插拔(Hot Swap)与电子保险丝(eFuse)保护电路:凭借快速响应和低热阻(θJA ≈ 40°C/W),可配合 TI 的TPS259xxx系列实现过流/短路保护。 该器件额定电压为 30 V,连续漏极电流达 40 A(PCB 优化散热下),符合 AEC-Q101(汽车级)标准,亦可用于车载信息娱乐系统等严苛环境。其无铅、RoHS 合规设计满足工业与消费类电子产品要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 65A 8SON |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CSD17327Q5A |
| rohs | 库存产品核实请求 / 库存产品核实请求 |
| 产品系列 | NexFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 506pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12.2 毫欧 @ 11A,8V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 供应商器件封装 | 8-SON(5x6) |
| 其它名称 | 296-29019-1 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD17327Q5A |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 65A(Tc) |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |