图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH6429-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH6429-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyCPH6429-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CPH6429-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CPH6429-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH6429-TL-E 是安森美(onsemi)推出的N沟道增强型MOSFET,采用SOT-457(即TSOP-6)小型表面贴装封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值约28 mΩ @ Vgs=10V)、高开关速度和良好热性能。其典型应用场景包括: - DC-DC电源转换:广泛用于同步降压(Buck)转换器的下管(low-side switch),尤其适用于便携式设备(如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备)中的高效、紧凑型电源管理模块; - 负载开关与电源路径管理:在电池供电系统中实现主电源与备用电源之间的智能切换,或控制外设供电通断,支持快速关断与低静态电流; - 电机驱动:适用于小型直流有刷电机(如微型风扇、振动马达)的H桥或单路驱动电路,满足低电压(额定Vds=30V,Vgs=±20V)、中等电流(Id=4.5A连续,6.5A脉冲)需求; - LED驱动与背光控制:作为恒流源开关或PWM调光开关,用于中小尺寸LCD/OLED显示屏背光驱动; - 接口保护与热插拔电路:配合限流/过压保护IC,用于USB端口、I/O接口的浪涌抑制与软启动。 该器件强调高功率密度与可靠性,适用于空间受限、需高频开关(可达1MHz级)及能效敏感的消费电子与工业嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2A CPH6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CPH6429-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 325pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.2nC @ 4V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 220 毫欧 @ 1A,4V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 6-CPH |
| 其它名称 | 869-1143-6 |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |