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  • 型号: CPH3413-TL-E
  • 制造商: SANYO Semiconductor Company
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CPH3413-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH3413-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyCPH3413-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CPH3413-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CPH3413-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CPH3413-TL-E 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用小型表面贴装SOT-416(SC-75)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅280 mΩ @ Vgs=4.5V)、低栅极电荷(Qg≈1.3 nC)及快速开关特性。其额定电压为20 V,连续漏极电流ID为400 mA(Tc=25°C),适合低压、小功率、高效率的开关应用。

典型应用场景包括:  
✅ 便携式电子设备中的负载开关(如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备的电源管理模块),用于控制外设供电通断,降低待机功耗;  
✅ DC-DC转换器次级侧同步整流(如升压/降压拓扑中的低侧开关),提升转换效率;  
✅ LED驱动电路中的PWM调光开关,利用其快速开关能力实现精准亮度控制;  
✅ 电池保护电路(如单节锂电过流/短路保护IC的外部检测开关);  
✅ 小型电机驱动(如微型振动马达、风扇控制)中的H桥低侧驱动;  
✅ 逻辑电平接口转换与信号切换(兼容1.8V/3.3V MCU GPIO直接驱动)。

该器件凭借超小尺寸、低热阻(θjc≈200°C/W)和无铅环保设计,特别适用于空间受限、对能效与可靠性要求高的消费类及工业IoT终端产品。需注意在PCB布局中合理铺铜散热,并避免超过SOA(安全工作区)限制。
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