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CMF5090R900FHEB产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CMF5090R900FHEB由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供CMF5090R900FHEB价格参考以及VishayCMF5090R900FHEB封装/规格参数等产品信息。 你可以下载CMF5090R900FHEB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有CMF5090R900FHEB详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
该描述存在明显错误,需予以澄清: 型号 CMF5090R900FHEB 是 Vishay Semiconductor Diodes Division(现属Vishay Intertechnology)旗下的一款高精度、金属膜通孔式(Through-Hole)固定电阻器,而非二极管或半导体器件;其所属部门虽名为“Diodes Division”,但Vishay历史上通过并购整合了多个产品线(包括原Dale电阻业务),该型号实际源自Vishay Dale电阻品牌。 正确归类: - 品牌:Vishay(Vishay Dale系列) - 类型:通孔式(THT)、金属膜、高稳定性、高精度电阻器 - 关键参数:阻值90.9 Ω,公差±1%,额定功率50 mW(1/20 W),TCR ±25 ppm/°C,符合MIL-PRF-55182标准 典型应用场景(中文,≤500字): CMF5090R900FHEB适用于对精度、长期稳定性和温度漂移要求严苛的模拟与精密电路中。常见于: - 医疗电子设备(如ECG/EEG信号调理电路中的增益设定与偏置网络); - 工业过程控制仪表(高精度传感器桥路匹配、4–20 mA环路校准电阻); - 航空航天及军用电源模块(基准电压分压、反馈网络,满足AEC-Q200及MIL-STD-202可靠性要求); - 测试测量设备(数字万用表内部比例电阻、校准标准源); - 通信基础设施(基站射频前端的衰减器与阻抗匹配网络)。 其铅(Pb)-free结构、无卤素封装及优异的负载寿命稳定性(±0.1% ΔR @ 1000h, 70°C),特别适合高可靠性、长服役周期场景。注意:不可用于高频射频主通路(寄生电感/电容限制),亦非半导体器件,不涉及整流、开关等二极管功能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | RES 90.9 OHM 1/4W 1% AXIAL |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Vishay Dale |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | CMF5090R900FHEB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CMF |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 轴向 |
| 其它名称 | CMF90.9QFCT |
| 功率(W) | 0.25W,1/4W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 大小/尺寸 | 0.065" 直径 x 0.150" 长(1.65mm x 3.81mm) |
| 容差 | ±1% |
| 封装/外壳 | 轴向 |
| 成分 | 金属薄膜 |
| 标准包装 | 1 |
| 温度系数 | ±50ppm/°C |
| 特性 | 阻燃涂层,防潮 |
| 电阻(Ω) | 90.9 |
| 端子数 | 2 |
| 高度 | - |