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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CL10C1R2BB8NNND
- 制造商： SAMSUNG
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CL10C1R2BB8NNND由SAMSUNG设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CL10C1R2BB8NNND价格参考。SAMSUNGCL10C1R2BB8NNND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CL10C1R2BB8NNND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CL10C1R2BB8NNND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
该型号CL10C1R2BB8NNND为三星电机（Samsung Electro-Mechanics）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属“CL”系列，符合EIA标准0603封装（1.6×0.8mm）。其参数为：容量1.2pF、容差±0.1pF（B）、额定电压50V（8）、X7R温度特性（N）、无卤素（N）、端电极镀镍/锡（N）、编带包装（D）。 主要应用场景包括： - 高频电路匹配与谐振：极小容量（1.2pF）和高精度（±0.1pF）使其适用于射频前端（如Wi-Fi 6/7、蓝牙模块、5G Sub-6GHz收发器）中的阻抗匹配网络、天线调谐及LC谐振回路； - 高速数字电路去耦/滤波：用于微处理器、FPGA或SerDes接口的局部高频噪声抑制（>1GHz频段），配合更大容值电容构成多级去耦； - 精密传感与时钟电路：在高稳定性振荡器（如VCXO、TCXO）、传感器信号调理电路中提供低相位噪声、低ESL的微调电容； - 汽车电子：满足AEC-Q200可靠性要求（型号后缀含N/N/N/D通常对应车规级版本），可用于ADAS雷达模块、车载信息娱乐系统RF部分。 其超小容值、高Q值、低ESL及优异温度稳定性（X7R：±15% @ -55℃~+125℃），特别适合对寄生参数敏感的高频、高精度模拟与射频应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 1.2PF 50V NP0 0603 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CL10C1R2BB8NNND |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | |
| 产品系列 | CL |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.035"（0.90mm） |
| 大小/尺寸 | 0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0603（1608 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | 通用 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | - |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/samsung-mlcc-ceramic-capacitors/4040 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 1.2pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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