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  • 型号: CL02A103KQ2NNNE
  • 制造商: SAMSUNG
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CL02A103KQ2NNNE由SAMSUNG设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CL02A103KQ2NNNE价格参考。SAMSUNGCL02A103KQ2NNNE封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CL02A103KQ2NNNE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CL02A103KQ2NNNE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Samsung Electro-Mechanics生产的CL02A103KQ2NNNE是一款多层陶瓷电容器(MLCC),容量为10 nF(103表示10×10³ pF),额定电压为10 V,容差±10%(K),X7R介质,0201英寸(0603 mm)超小型封装。其典型应用场景包括:  
- 智能手机与可穿戴设备:用于电源去耦、噪声滤波及RF模块中的旁路,得益于其微型尺寸和高频稳定性;  
- 物联网(IoT)传感器节点:在低功耗MCU供电路径中提供局部储能与高频干扰抑制;  
- TWS耳机等便携音频设备:配合音频放大器或编解码器进行信号耦合与电源平滑;  
- 汽车电子辅助系统(如车载信息娱乐单元、LED驱动电路):满足AEC-Q200基础可靠性要求(注:该型号非车规级,仅适用于非安全关键的12V低压子系统);  
- 工业控制板卡与消费类主板:作为数字IC(如FPGA、SoC)VDD引脚附近的高频去耦电容,抑制开关噪声。  

需注意:该器件额定电压较低(10 V),不适用于高压或主电源通路;X7R介质具备较好温度稳定性(±15% @ −55℃~+125℃),但存在电压系数效应,实际容值随偏置电压升高而下降,设计时应留有余量。
产品参数 图文手册 常见问题
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