【CGHV35150F/规格参数】厂家_CGHV35150F中文资料_价格

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型号： CGHV35150F
制造商： Cree
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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CGHV35150F产品简介：

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CGHV35150F 是 Cree, Inc.（现为 Wolfspeed）推出的高性能氮化镓（GaN）射频功率晶体管，属于 GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）器件。其典型应用场景集中于高频率、高效率、高功率的射频放大领域，主要包括：

- 5G宏基站与大规模MIMO基站：工作频段覆盖 3.3–3.8 GHz（支持n77/n78频段），具备高增益（>18 dB）、高饱和输出功率（约150 W）和优异的功率附加效率（PAE > 65%），适用于5G Sub-6 GHz频段的远程射频单元（RRU）和有源天线系统（AAS）。

- 雷达系统：尤其适用于L波段至S波段（如2–4 GHz）的军用/民用雷达发射模块，得益于GaN的高击穿电压与热稳定性，可承受脉冲高功率与严苛环境。

- 宽带无线通信基础设施：如点对点微波回传（E-band前传/回传辅助）、公共安全通信及宽带无线接入（WiMAX演进系统）中的高线性度功率放大器设计。

- 测试与仪表设备：作为信号源或功率放大模块，用于射频一致性测试、EMC测试系统等需稳定大功率输出的场景。

该器件采用陶瓷金属封装（Flange-mount），支持风冷或液冷散热，强调可靠性与长期运行稳定性，广泛应用于对尺寸、效率和功率密度要求严苛的现代射频系统中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	FET RF GAN HEMT 150W
产品分类	RF FET
品牌	Cree Inc
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	CGHV35150F
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	440193
功率-输出	170W
包装	管件
噪声系数	-
增益	13.3dB
封装/外壳	440193
晶体管类型	HEMT
标准包装	50
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/cghv35150f-sband-radar-transistor/52315
电压-测试	50V
电压-额定	125V
电流-测试	500mA
配用	/product-detail/zh/CGHV35150-TB/CGHV35150-TB-ND/4794486
频率	2.9GHz ~ 3.5GHz
额定电流	12A