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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CGHV27200-TB
- 制造商： Cree
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CGHV27200-TB由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CGHV27200-TB价格参考。CreeCGHV27200-TB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CGHV27200-TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CGHV27200-TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为CGHV27200-TB的开发板，隶属于Cree（现为Wolfspeed）的产品线，属于射频（RF）评估与开发套件类别。该套件主要用于评估和开发基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的射频功率放大器应用。 该开发板的主要应用场景包括： 1. 无线通信基础设施：适用于4G LTE、5G等蜂窝通信基站的功率放大器设计与测试，特别是在高频段和高功率需求的场景中。 2. 雷达与国防应用：用于军用雷达、电子战系统等需要高可靠性、高功率密度和高频率性能的系统中。 3. 工业与广播设备：如广播发射机、工业加热设备等需要高效率射频功率放大的系统。 4. 射频测试与评估：工程师可利用该开发板快速评估CGHV27200器件的性能，包括输出功率、效率、线性度等关键参数，从而加速产品开发进程。 该评估板通常配备了完整的射频输入输出接口、偏置电路以及散热设计，方便用户在实际环境中进行测试和调试。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | HEMT RF 50V 100W 2.7GHZ 440162 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Cree Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CGHV27200-TB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | - |
| 其它名称 | CGHV27200F-TB |
| 功率-输出 | 200W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB ~ 16dB |
| 封装/外壳 | - |
| 晶体管类型 | HEMT |
| 标准包装 | 2 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/cghv27200-telecom-transistor/50232 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 50V |
| 电流-测试 | 1A |
| 频率 | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | 12A |
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