图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FK222GO3F由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FK222GO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FK222GO3F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FK222GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FK222GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDV30FK222GO3F 是一款由“-”(即无明确品牌标识,可能为代工或通用型号)生产的云母/PTFE复合介质电容器,容量为2200 pF(222表示22×10² pF),容差±2%(G),额定电压100 V(O3对应IEC标准中100 V DC),F代表镀银云母/聚四氟乙烯(PTFE)复合结构,具备优异高频稳定性与低损耗特性。 该电容器典型应用于高可靠性、高频率、低相位噪声的场景: 1. 射频(RF)电路:如VHF/UHF频段滤波器、阻抗匹配网络、天线调谐回路,得益于云母+PTFE的极低介质损耗(tanδ < 0.0005)和稳定温度系数(≈ ±35 ppm/℃); 2. 精密振荡与定时电路:如晶体振荡器负载电容、PLL环路滤波,其容量高度稳定、老化率低(<0.1%/decade),保障长期频率精度; 3. 军工与航天电子:满足宽温(-55℃~+125℃)、抗辐照及高可靠性要求,常用于雷达前端、通信收发模块; 4. 高端音频设备:在Hi-Fi分频网络或耦合电路中提供纯净信号传输,避免介质吸收导致的音染。 注意:该型号非标准工业命名,实际选型需以制造商规格书为准,确认是否为银电极云母基底覆PTFE涂层结构,以及是否通过MIL-PRF-55681等军规认证。