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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FJ122GO3由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FJ122GO3价格参考。Cornell DubilierCDV30FJ122GO3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FJ122GO3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FJ122GO3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDV30FJ122GO3 是 Cornell Dubilier Electronics(CDE)生产的云母/PTFE复合介质高压电容器,标称容量1200 pF(122表示12×10² pF),容差±2%,额定电压30 kV DC,采用径向引线、环氧树脂封装,具备优异的高频稳定性、低介质损耗(tanδ < 0.0005)、极低的电容温度系数(±35 ppm/°C)及出色的长期可靠性。 其典型应用场景包括: - 高能物理与粒子加速器系统:用作脉冲成形网络(PFN)中的储能与整形电容,承受重复高压脉冲; - 医疗X射线发生器与CT高压电源:在倍压整流和高压滤波电路中提供稳定、低损耗的耦合与储能功能; - 雷达发射机与微波功率放大器:作为谐振腔耦合电容或调谐电容,满足MHz至数百MHz频段的高Q值需求; - 激光激励电路(如TEA激光器):在纳秒级高压脉冲放电回路中承担快速充放电任务,耐受高di/dt与峰值电流; - 航空航天与军工电子:用于高可靠性射频/微波子系统(如相控阵T/R模块供电旁路),满足MIL-PRF-11015标准要求。 该器件不适用于普通电源滤波或低频耦合等常规场景,其设计核心是兼顾云母的精度/稳定性与PTFE的耐高温(-55°C~+125°C)、耐辐射及高频性能,专为极端电气与环境条件下的关键射频与脉冲功率应用而优化。