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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FJ121JO3F由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FJ121JO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FJ121JO3F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FJ121JO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FJ121JO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDV30FJ121JO3F 是一款由“-”(即无明确品牌标识,常见于国产或代工规格器件)生产的云母与PTFE(聚四氟乙烯)复合介质电容器。其型号解析:C为电容、D为云母/PTFE复合介质、V为轴向引线、30为额定电压300V(DC)、F为容量121即120pF(12×10¹ pF)、J为±5%容量精度、O3F为温度特性及可靠性等级(符合GJB 599A等军用/高可靠标准)。 该电容器典型应用于高频、高稳定性、宽温域及高可靠性场景: 1. 军用/航天电子系统:如雷达收发模块、相控阵T/R组件中的耦合、旁路与调谐回路,得益于PTFE的极低介质损耗(tanδ<0.0002)和云母的优异耐压、耐热性(工作温度可达+125℃); 2. 精密射频仪器:频谱分析仪、矢量网络分析仪的校准电路与信号路径滤波,要求极小容量漂移(-55℃~+125℃内ΔC/C ≤ ±30ppm/℃); 3. 高保真音频设备前端:如专业麦克风前置放大器的耦合电容,利用其超低失真与无电解质老化特性; 4. 医疗成像设备(如超声发射电路):需承受脉冲高压并保持相位一致性。 注:因不含电解液、无极性、寿命长(>20年),特别适用于不可维修或长期免维护场合。实际选型需结合PCB布局、焊接工艺(推荐手工烙铁≤350℃/3s)及EMI防护要求。