【未分类_CDV30FJ112GO3F】封装/厂家_CDV30FJ112GO3F中文资料_价格

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型号： CDV30FJ112GO3F
制造商： Cornell Dubilier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FJ112GO3F由Cornell Dubilier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FJ112GO3F价格参考。Cornell DubilierCDV30FJ112GO3F封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CDV30FJ112GO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CDV30FJ112GO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CDV30FJ112GO3F 是 Cornell Dubilier Electronics（CDE）生产的云母介质电容器（属CDV系列），标称容量1100 pF（112表示11×10² pF），容差±2%（G），额定电压300 VDC（F后缀对应300 VDC，部分资料中O3F表300 VDC/125 VAC），采用径向引线、环氧树脂包封结构，具有优异的稳定性、低损耗（tanδ ≈ 0.0005）、极小的温度系数（≈ ±35 ppm/°C）及卓越的高频性能。

典型应用场景包括：  
- 高精度定时与振荡电路：如晶体振荡器负载电容、PLL环路滤波器，依赖其容值长期稳定性和低老化率；  
- 射频（RF）与微波电路：用于阻抗匹配网络、谐振腔调谐、天线耦合/馈电，受益于低ESR和高Q值（>10,000 @ 1 MHz）；  
- 脉冲与采样保持电路：在高速数据采集系统中作精密采样电容，因其极低介电吸收（<0.02%）可减少拖尾误差；  
- 军工与航天电子：满足MIL-PRF-11015标准，适用于雷达收发模块、相控阵T/R组件等高可靠性、宽温（–55°C 至 +125°C）环境；  
- 高端音频设备：在分频网络或模拟信号路径中替代陶瓷电容，避免压电噪声与非线性失真。

该器件不适用于大电流滤波或开关电源主输出，因其容量小、成本高，专为高性能模拟/射频场景设计。

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