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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CDV30FF511GO3由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CDV30FF511GO3价格参考。Cornell DubilierCDV30FF511GO3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CDV30FF511GO3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CDV30FF511GO3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CDV30FF511GO3 是 Cornell Dubilier(CDE)生产的云母/PTFE 混合介质高压电容器,属 CDV 系列,具有优异的高频稳定性、低介质损耗(tanδ ≈ 0.0003)、高绝缘电阻及出色的温度/频率特性(-55℃ 至 +125℃)。其标称参数为:510 pF ±2%(G 容差),额定直流电压 3 kV,峰值脉冲电压更高。 该器件典型应用于对可靠性、精度和高频性能要求严苛的场景: 1. 射频与微波系统:如固态功率放大器(PA)输出匹配网络、天线调谐单元、RF滤波器中的谐振/耦合电容; 2. 高压脉冲电路:激光驱动器、雷达发射模块、粒子探测器前端的整形与耦合电容; 3. 精密定时与振荡电路:高稳定度晶体振荡器(XO)负载电容、压控振荡器(VCO)调谐回路; 4. 航空航天与军工电子:因符合 MIL-PRF-11015 标准,适用于机载通信、电子对抗(ECM)等抗辐照、宽温、长寿命需求场合; 5. 医疗成像设备:如MRI梯度放大器、X射线发生器中的高压耦合与缓冲环节。 其云母基底+PTFE封装结构兼顾了云母的高Q值/低损耗与PTFE的耐热性、低吸湿性,避免陶瓷电容的电压系数(DC bias)及老化问题,也优于普通薄膜电容的高频衰减。不适用于大电流纹波或低频大容量滤波场景。