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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CD4ED200DO3F由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CD4ED200DO3F价格参考。Cornell DubilierCD4ED200DO3F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CD4ED200DO3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CD4ED200DO3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CD4ED200DO3F 是 Cornell Dubilier Electronics(CDE)推出的云母介质电容器(属CD4系列),采用镀银云母结构,额定电压200VDC,容值200pF,容差±1%(F级),工作温度范围-55°C至+125°C,具备优异的稳定性、低损耗(tanδ < 0.0005)和极低的介质吸收(<0.02%)。 该器件典型应用于对精度、可靠性及高频性能要求严苛的场景: - 高稳定性定时与振荡电路:如精密晶体振荡器负载电容、军用/航天级频率基准电路; - 射频(RF)与微波系统:作为滤波器调谐电容、阻抗匹配网络中的旁路或耦合元件(适用于UHF频段,Q值>10,000); - 测试测量设备:在高频信号源、网络分析仪校准模块中提供低相位噪声和长期参数漂移小的基准容性元件; - 航空航天与军工电子:满足MIL-PRF-11015标准,用于雷达收发模块、电子对抗系统等需承受宽温、振动及高可靠性要求的场合; - 高压脉冲电路:因云母介质耐压高、绝缘电阻大(>10,000 GΩ·μF),亦适用于低能量、高重复率脉冲整形与采样保持电路。 注:该型号不含PTFE介质,CD4系列为纯镀银云母电容;CDE的PTFE电容器属于其他系列(如C4AS/C4AT)。其无铅、符合RoHS,适合高可靠性焊接工艺。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP MICA 20PF 500V RADIAL |
| 产品分类 | 云母和 PTFE 电容器 |
| 品牌 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CD4ED200DO3F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CD4 |
| 介电材料 | 云母 |
| 其它名称 | CD4ED200D03F |
| 包装 | 散装 |
| 大小/尺寸 | 0.291" 长 x 0.110" 宽(7.40mm x 2.80mm) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±0.5pF |
| 封装/外壳 | 径向 |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 引线间距 | 0.098"(2.50mm) |
| 标准包装 | 100 |
| 特性 | 射频,高频率 |
| 电压-额定 | 500V |
| 电容 | 20pF |
| 高度-安装(最大值) | 0.220"(5.60mm) |