ICGOO在线商城 > CBR08C809CAGAC
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR08C809CAGAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
CBR08C809CAGAC产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR08C809CAGAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供CBR08C809CAGAC价格参考以及KemetCBR08C809CAGAC封装/规格参数等产品信息。 你可以下载CBR08C809CAGAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有CBR08C809CAGAC详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET的CBR08C809CAGAC是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为8.0 pF，容差±0.25 pF，额定电压25 V，采用0805封装（2.0 × 1.25 mm），介质为C0G/NP0（温度系数±30 ppm/℃），具有极佳的温度稳定性、低损耗（DF < 0.1%）和优异的高频特性。 其主要应用场景包括： 1. 射频（RF）与微波电路：如5G基站前端模块、Wi-Fi 6/7射频收发器中的阻抗匹配、谐振回路及滤波网络，得益于C0G材料在GHz频段仍保持稳定容值； 2. 高精度时钟与振荡电路：用于晶体振荡器（XO）、VCXO等负载电容匹配，保障频率长期稳定性与低相位噪声； 3. 汽车电子系统：满足AEC-Q200要求，适用于ADAS雷达传感器、车载信息娱乐系统（IVI）的高频信号耦合/旁路，以及发动机控制单元（ECU）中敏感模拟前端的去耦； 4. 精密测试测量设备：如高速示波器探头补偿、网络分析仪校准路径，对电容的寄生参数（ESL/ESR）和老化率要求严苛，该器件具备低寄生、零老化特性。 综上，CBR08C809CAGAC专为对稳定性、精度和可靠性要求极高的高频、高可靠性场景设计，尤其适用于汽车、通信与工业高端电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | CAP CER 8PF 250V NP0 0805多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 250volts 8.0pF C0G 0805 SIZE |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Kemet |
| 产品手册 | http://www.kemet.com/docfinder?Partnumber=CBR08C809CAGAC |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MLCC,多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT,Kemet CBR08C809CAGACCBR |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CBR08C809CAGAC |
| 产品 | RF Microwave MLCCs |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 产品种类 | 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT |
| 其它名称 | 399-8723-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 厚度（最大值） | 0.035"（0.88mm） |
| 商标 | Kemet |
| 外壳代码-in | 0805 |
| 外壳代码-mm | 2012 |
| 外壳宽度 | 1.25 mm |
| 外壳长度 | 2 mm |
| 外壳高度 | 0.85 mm |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
| 封装/箱体 | 0805 (2012 metric) |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 温度系数/代码 | +/- 30 PPM / C |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/hiqcbr-series/50483 |
| 电介质 | C0G (NP0) |
| 电压-额定 | 250V |
| 电压额定值 | 250 VDC |
| 电压额定值DC | 250 V |
| 电容 | 8.0pF |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 等级 | - |
| 类 | Class 1 |
| 类型 | SMD High Power Applications, Ultra High Q, Low ESR, 6.3 - 500 VDC (RF & Microwave) |
| 系列 | CBR |
| 零件号别名 | CBR08C809CAGACTU |
| 高度-安装（最大值） | - |
