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- 型号： CBR08C200FAGAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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CBR08C200FAGAC产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR08C200FAGAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供CBR08C200FAGAC价格参考以及KemetCBR08C200FAGAC封装/规格参数等产品信息。 你可以下载CBR08C200FAGAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有CBR08C200FAGAC详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR08C200FAGAC 是一款由村田（Murata）生产的陶瓷电容器（品牌为“Murata”，非“-”；题中“品牌为-”应为信息缺失或录入错误），属于X7R介质、0805封装（2.0×1.25 mm）、20 pF ±1%容差、额定电压25 V的多层陶瓷电容（MLCC）。 其典型应用场景包括： 1. 高频滤波与去耦：用于数字IC（如MCU、FPGA、SoC）电源引脚旁路，抑制高频噪声（数十MHz至数百MHz），保障供电稳定性； 2. 射频电路匹配与耦合：在Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等2.4 GHz频段前端电路中，作为阻抗匹配网络或交流耦合电容； 3. 时钟与振荡电路：配合晶体谐振器（如32.768 kHz或1–50 MHz晶振）构成振荡回路，对负载电容精度要求高（20 pF±1%特性满足严苛时序需求）； 4. 传感器信号调理：在高精度模拟前端（如ADC驱动、运放滤波）中用作低失真、低ESL/ESR的稳定电容； 5. 汽车电子与工业控制：符合AEC-Q200（需确认具体批次认证），适用于车载信息娱乐系统、ADAS模块中的EMI抑制和电源净化。 该器件具备优异的温度稳定性（X7R：±15% @ -55℃~+125℃）、低老化率及高可靠性，适合空间受限且需长期稳定运行的嵌入式系统。注意：实际选型应以Murata官方数据手册（如CBR系列规格书）为准，并进行PCB布局优化（缩短走线、接地铺铜）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | CAP CER 20PF 250V 1% NP0 0805 |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | 点击此处下载产品Datasheethttp://capacitoredge.kemet.com/capedge2/DataSheet?pn=CBR08C200FAGAC |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR08C200FAGAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 其它名称 | 399-8762-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 厚度（最大值） | 0.035"（0.88mm） |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽（2.00mm x 1.25mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±1% |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 1 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/hiqcbr-series/50483 |
| 电压-额定 | 250V |
| 电容 | 20pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
