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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR04C909C1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR04C909C1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR04C909C1GAC价格参考。KemetCBR04C909C1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR04C909C1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR04C909C1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR04C909C1GAC 是一款由 KEMET（基美）生产的陶瓷电容器（品牌为“KEMET”，非“-”；题中“品牌为-”应为信息缺失或录入错误，实际品牌为 KEMET），属于 CBR 系列多层陶瓷电容器（MLCC）。其参数为：容量 9.0 pF，容差 ±0.25 pF（C 代码），额定电压 100 V（1G = 100 V DC），封装尺寸 0402（1.0 mm × 0.5 mm），X7R 温度特性（工作温度范围 -55℃ 至 +125℃）。 该器件典型应用场景包括： 1. 高频滤波与去耦：用于射频（RF）前端、无线模块（如 Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）的电源旁路，抑制高频噪声； 2. 谐振与匹配电路：在 VCO（压控振荡器）、PA（功率放大器）输出匹配网络或天线调谐电路中，利用其高精度（±0.25 pF）和低损耗特性实现精准容值控制； 3. 时钟与振荡电路：配合晶体或SAW器件，构成稳定振荡回路，适用于通信设备、物联网终端等对频率稳定性要求较高的场合； 4. 高速数字电路局部去耦：为 FPGA、ASIC 或 MCU 的内核供电引脚提供高频瞬态电流响应，保障信号完整性。 因其小尺寸（0402）、高稳定性及低 ESR/ESL，特别适合空间受限、高频化、低功耗的便携式电子设备（如智能穿戴、TWS耳机、传感器节点等）。需注意：不可用于大纹波电流或强脉冲环境，且应遵循 PCB 布局规范以避免焊点应力开裂。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 9PF 100V NP0 0402 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR04C909C1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.022"（0.55mm） |
| 大小/尺寸 | 0.039" 长 x 0.020" 宽（1.00mm x 0.50mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0402（1005 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 9.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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