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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR04C808A1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR04C808A1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR04C808A1GAC价格参考。KemetCBR04C808A1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR04C808A1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR04C808A1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET的CBR04C808A1GAC是一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），属Class I（C0G/NP0）介质，容量为80 pF，额定电压100 V，容差±0.05 pF（即“J”级），温度系数极稳定（±30 ppm/°C），工作温度范围-55°C至+125°C。其超低损耗（DF < 0.1%）、优异的频率稳定性与近乎零的老化率，使其专用于对精度、稳定性和可靠性要求严苛的模拟与射频电路。 典型应用场景包括： 1. 高精度定时与振荡电路——如晶体振荡器（XO）、压控振荡器（VCO）的负载电容或调谐电容，确保频率长期稳定； 2. 射频匹配与滤波网络——在5G前端模块、Wi-Fi 6/7射频收发链路中，用作阻抗匹配、耦合或旁路电容，支持GHz频段（自谐振频率高）； 3. 精密传感器信号调理电路——如医疗设备（ECG、EEG前置放大器）、工业测量仪表中的滤波与反馈网络，抑制噪声且不引入相位失真； 4. 航天与军工电子——因符合AEC-Q200及部分高可靠性标准（需查具体批次认证），适用于卫星通信、雷达系统等极端环境下的关键节点。 该器件采用0402封装（1.0×0.5 mm），适合高密度PCB布局，但需注意焊接工艺以避免微裂纹影响可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 0.8PF 100V NP0 0402 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR04C808A1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.022"（0.55mm） |
| 大小/尺寸 | 0.039" 长 x 0.020" 宽（1.00mm x 0.50mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.05pF |
| 封装/外壳 | 0402（1005 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 0.80pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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