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- 型号： CBR04C399C1GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR04C399C1GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR04C399C1GAC价格参考。KemetCBR04C399C1GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR04C399C1GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR04C399C1GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR04C399C1GAC 是一款高性能X7R介质、0402封装（1.0×0.5 mm）、39 pF、±0.25 pF高精度、直流额定电压100 V的多层陶瓷电容器（MLCC）。其低容差、高稳定性及优异高频特性，使其适用于对精度、噪声抑制和信号完整性要求严苛的场景。 典型应用场景包括： 1. 射频（RF）电路匹配与滤波——如5G通信前端模块、Wi-Fi 6/6E射频收发器中的阻抗匹配网络、谐振回路及带通/低通滤波器； 2. 高速数字接口去耦与旁路——为FPGA、高速ADC/DAC、SerDes等芯片提供高频噪声抑制（尤其在数百MHz至数GHz频段），确保电源轨稳定； 3. 精密振荡与时钟电路——用于晶体振荡器（XO）负载电容或PLL环路滤波，其±0.25 pF超小容差可显著提升频率精度与长期稳定性； 4. 医疗电子与测试设备——如便携式超声探头前端、高分辨率数据采集系统中，满足低失真、低相位噪声要求； 5. 汽车ADAS传感器模块——在毫米波雷达（77 GHz）的中频处理链路中，作为高Q值、低ESL电容参与信号调理。 该器件符合AEC-Q200标准（车规级），具备良好温度稳定性（X7R：−55°C ~ +125°C，ΔC/C ≤ ±15%），并支持无铅回流焊工艺，适用于高可靠性工业与车载电子环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 3.9PF 100V NP0 0402 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR04C399C1GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.022"（0.55mm） |
| 大小/尺寸 | 0.039" 长 x 0.020" 宽（1.00mm x 0.50mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0402（1005 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 10,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 3.9pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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