Datasheet下载- 型号： CBR02C829C8GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C829C8GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C829C8GAC价格参考。KemetCBR02C829C8GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C829C8GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C829C8GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C829C8GAC 是一款高性能车规级多层陶瓷电容器（MLCC），容量为8.2 pF，容差±0.25 pF，额定电压8 V DC，采用0201（0.6×0.3 mm）超小型封装，介质为C0G（NP0），具有极佳的温度稳定性（±30 ppm/℃）、低损耗（DF < 0.1%）和优异的高频特性。 其典型应用场景包括： - 射频（RF）前端电路：如5G智能手机、Wi-Fi 6/6E模块、蓝牙SoC中的匹配网络、天线调谐与滤波器旁路； - 高速数字接口去耦：用于处理器、FPGA或SerDes收发器的局部高频去耦（>1 GHz），抑制电源噪声与开关噪声； - 高精度振荡与时钟电路：作为晶体振荡器（XO/TCXO）的负载电容或反馈路径电容，保障频率稳定性和相位噪声性能； - 汽车电子：满足AEC-Q200认证，适用于ADAS摄像头模块、车载雷达收发链路、信息娱乐系统中的高频信号调理环节； - 医疗与工业传感器前端：在超声换能器驱动、高分辨率ADC参考去耦等对电容参数漂移敏感的精密模拟电路中提供可靠性能。 该器件凭借C0G材质的零电压系数、低老化率及0201尺寸带来的寄生电感优势，特别适合对尺寸、高频响应和长期稳定性要求严苛的微型化高频电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 8.2PF 10V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C829C8GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 10V |
| 电容 | 8.2pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
