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- 型号： CBR02C569D3GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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CBR02C569D3GAC产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C569D3GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供CBR02C569D3GAC价格参考以及KemetCBR02C569D3GAC封装/规格参数等产品信息。 你可以下载CBR02C569D3GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有CBR02C569D3GAC详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C569D3GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为5.6 pF，耐压25 V，容差±0.5 pF（D级），采用0201封装（0.6 mm × 0.3 mm），NP0/C0G介质，具有极低的容值温度系数（±30 ppm/℃）、优异的频率稳定性与超低损耗（DF < 0.1%）。 其典型应用场景包括： - 高频射频电路：如5G基站前端、Wi-Fi 6/6E射频匹配网络、蓝牙模块中的阻抗调谐与谐振回路； - 精密时钟与振荡电路：为晶体振荡器（XO）、VCO提供高稳定负载电容，保障时序精度； - 高速数字接口旁路：在SerDes、USB 3.2、PCIe等接口中用于GHz频段去耦，抑制高频噪声； - 汽车电子系统：满足AEC-Q200要求，适用于ADAS雷达收发模块、车载信息娱乐系统RF滤波及CAN/LIN总线EMI抑制； - 医疗与工业传感设备：在超声换能器驱动、高精度ADC参考电路中提供低相位噪声、零老化特性的稳定电容。 该器件凭借0201小尺寸、NP0材料的高可靠性及严格公差，特别适合空间受限且对参数稳定性要求严苛的高端电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | CAP CER 5.6PF 25V NP0 0201 |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C569D3GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 其它名称 | 399-6144-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.5pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 1 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/hiqcbr-series/50483 |
| 电压-额定 | 25V |
| 电容 | 5.6pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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