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- 型号： CBR02C209C8GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C209C8GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C209C8GAC价格参考。KemetCBR02C209C8GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C209C8GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C209C8GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C209C8GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为2.0 nF（209表示2.0×10⁹ pF），容差±0.25 pF（C），额定电压8 V（8G对应8 V DC），采用0201封装（0.6 mm × 0.3 mm），介质为超稳定Class I C0G/NP0材料。 该器件主要应用于对稳定性、低损耗和高可靠性要求严苛的高频模拟与射频电路中，典型场景包括： - 射频前端模块（RF Front-End）：作为耦合、旁路或谐振电容，用于5G智能手机、Wi-Fi 6/6E/7射频收发器中的LNA、PA、开关匹配网络； - 高精度时钟与振荡电路：为VCXO、TCXO等提供C0G级温度补偿和低相位噪声旁路； - 高速接口滤波：在USB 3.x、MIPI D-PHY/C-PHY等差分信号链中实现高频噪声抑制； - 汽车电子系统：满足AEC-Q200标准，适用于ADAS摄像头模组、车载雷达接收链路及信息娱乐系统中的高频去耦； - 医疗与工业传感器前端：在低功耗、高信噪比的模拟采集电路中保障信号完整性。 其超小尺寸（0201）、C0G介质的近零TC（±30 ppm/°C）、极低ESR/ESL及优异的长期稳定性，使其成为高频、高可靠性微型化设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 2PF 10V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C209C8GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 10V |
| 电容 | 2.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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