Datasheet下载- 型号： CBR02C200F5GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C200F5GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C200F5GAC价格参考。KemetCBR02C200F5GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C200F5GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C200F5GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C200F5GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为20pF，容差±1%，额定电压50V，采用C0G/NP0类超稳定介质，封装尺寸为0201（0.6mm×0.3mm）。其核心优势在于极低的电容温度系数（±30ppm/℃）、近乎零的老化率、优异的频率稳定性及低损耗（DF < 0.1%），适用于对精度、可靠性和高频性能要求严苛的场景。 典型应用场景包括： 1. 射频（RF）电路：如5G通信模块、Wi-Fi 6/6E、蓝牙SoC中的阻抗匹配网络、天线调谐与滤波器微调； 2. 高精度振荡电路：晶振负载电容（CL）、TCXO/VCXO补偿网络，保障时钟信号长期稳定性； 3. 高速数字接口：USB 3.x、PCIe、HDMI等信号链路中的旁路与去耦，抑制高频噪声； 4. 汽车电子系统：ADAS雷达前端、车载信息娱乐系统（IVI）射频收发模块、车身控制单元（BCU）中需通过AEC-Q200认证的精密耦合/滤波节点； 5. 医疗电子与测试设备：超声成像前端、高频传感器信号调理电路等对温漂和相位噪声敏感的应用。 该器件凭借0201小尺寸与C0G材料特性，在空间受限且需长期稳定运行的高端电子系统中具有不可替代性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 20PF 50V 1% NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | 点击此处下载产品Datasheethttp://www.kemet.com/docfinder?Partnumber=CBR02C200F5GAC |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C200F5GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 其它名称 | 399-11242-6 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±1% |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 1 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 电压-额定 | 50V |
| 电容 | 20pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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