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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR02C110J9GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C110J9GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C110J9GAC价格参考。KemetCBR02C110J9GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C110J9GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C110J9GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C110J9GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为11 pF，容差±5%（J），额定电压100 V（9G代码），采用0201封装（0.6 mm × 0.3 mm），材质为C0G/NP0（温度系数极稳定，±30 ppm/℃，容量几乎不随温度、电压或时间变化）。 其典型应用场景包括： - 高频信号路径中的精密耦合与去耦：如5G射频前端、Wi-Fi 6/6E模块、蓝牙SoC的本振（LO）旁路和RF匹配网络，利用C0G的低损耗（高Q值）和稳定性保障信号完整性； - 高精度定时与振荡电路：用于晶体振荡器（XO）、TCXO的负载电容或反馈网络，确保频率长期稳定性和低相位噪声； - 汽车电子关键系统：满足AEC-Q200要求，适用于ADAS摄像头模组、车载雷达收发链路、CAN/LIN总线接口滤波及发动机控制单元（ECU）中的敏感模拟传感电路； - 医疗与工业仪器：在超声成像前端、高分辨率ADC/DAC参考去耦、传感器信号调理等对温漂和老化特性要求严苛的场景中提供可靠性能。 该器件无铅、符合RoHS，适合回流焊工艺，特别适用于空间受限且需高可靠性、低失真的高频、高稳定性应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 11PF 6.3V 5% NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C110J9GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 6.3V |
| 电容 | 11pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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