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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供C4D10120E由Cree设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C4D10120E价格参考。CreeC4D10120E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载C4D10120E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有C4D10120E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Cree/Wolfspeed的C4D10120E是一款基于碳化硅(SiC)技术的肖特基二极管,属于二极管 - 整流器 - 单类别。其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源转换系统:C4D10120E适用于各种DC-DC和AC-DC转换器中,能够提供高效、快速的开关性能,降低开关损耗,特别适合高频率工作环境下的电源转换。 2. 太阳能逆变器:在光伏系统中,该二极管可用于逆变器电路,帮助提高能量转换效率,减少热损耗,并支持更高的开关频率,从而缩小设备体积和重量。 3. 电机驱动:用于工业电机驱动系统中,能够承受较高的电压和电流波动,同时保持低反向恢复电荷,提升系统的整体效率和可靠性。 4. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,C4D10120E可以作为整流或箝位二极管使用,确保在电力中断时快速响应并维持稳定输出,延长电池寿命。 5. 电动车及混合动力车(EV/HEV):此型号适用于车载充电器、DC-DC转换器以及牵引逆变器等关键部件,有助于实现更高效的电能管理,支持车辆的高性能运行需求。 6. 电信与服务器电源:在通信基站和数据中心的电源模块中,该二极管可显著降低功耗,提高系统的功率密度,满足现代通讯设备对高效能的要求。 总之,C4D10120E凭借其优异的电气特性(如低正向压降、零反向恢复电荷)和耐高温能力,在需要高效能、高可靠性的电力电子应用领域具有广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 14A TO252-2肖特基二极管与整流器 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 10A |
产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
品牌 | Cree Inc |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Cree, Inc. C4D10120EZ-Rec™ |
数据手册 | |
产品型号 | C4D10120E |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.8V @ 10A |
不同 Vr、F时的电容 | 754pF @ 0V,1MHz |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 250µA @ 1200V |
二极管类型 | 碳化硅肖特基 |
产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | TO-252-2 |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 0ns |
商标 | Cree, Inc. |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | TO-252-2 |
峰值反向电压 | 1.2 kV |
工作温度-结 | -55°C ~ 175°C |
工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
工厂包装数量 | 75 |
恢复时间 | - |
技术 | SiC |
最大二极管电容 | 754 pF |
最大功率耗散 | 136 W |
最大反向漏泄电流 | 250 uA |
最大工作温度 | + 175 C |
最大浪涌电流 | 71 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
正向电压下降 | 1.8 V |
正向连续电流 | 10 A |
热阻 | 0.88°C/W Jc |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 1200V(1.2kV) |
电流-平均整流(Io) | 14A |
速度 | 无恢复时间 > 500mA(Io) |
配置 | Single |