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  • 型号: C2M0280120D
  • 制造商: Cree
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供C2M0280120D由Cree设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C2M0280120D价格参考。CreeC2M0280120D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载C2M0280120D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有C2M0280120D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Cree/Wolfspeed 的 C2M0280120D 是一款基于碳化硅(SiC)材料的 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的高性能功率半导体器件。其应用场景主要包括以下领域:

1. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)  
   - 用于电机驱动逆变器、车载充电器(OBC)和DC-DC转换器中,提供高效能量转换和快速开关性能。
   - SiC MOSFET具有低导通电阻(Rds(on) = 280 mΩ @ 25°C)和高耐压能力(1200 V),适合高压系统,减少能量损耗并提高续航里程。

2. 工业电源和变频器  
   - 应用于高频开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和工业变频器中,支持更高的开关频率和效率。
   - 适用于太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块,优化能源利用效率。

3. 消费电子和通信设备  
   - 在数据中心服务器电源、电信基站电源等应用中,提供高效率和高可靠性。
   - 支持小型化设计,降低散热需求,满足紧凑型设备的要求。

4. 快充技术  
   - 用于USB PD快充适配器和其他高功率充电设备中,实现高效能量传输和更小的体积。
   - 提供更快的充电速度和更低的温升,提升用户体验。

5. 其他高功率应用  
   - 包括焊接设备、感应加热系统和医疗成像设备中的功率转换部分。
   - 其出色的热性能和耐用性使其能够在严苛环境中稳定工作。

C2M0280120D 的优势在于其碳化硅材料特性,具备高耐压、低损耗、高温运行能力和快速开关速度,非常适合需要高效能和高可靠性的电力电子系统。
产品参数 图文手册 常见问题
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