| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84J-B11,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84J-B11,115价格参考。NXP SemiconductorsBZX84J-B11,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZX84J-B11,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84J-B11,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84J-B11,115 是 NXP USA Inc. 推出的表面贴装齐纳二极管(单管),标称稳压值为 11 V(容差 ±2%,即 10.78–11.22 V),最大功率耗散为 500 mW(在 Tₐ = 25°C 下),采用 SOD-123 封装,具有低动态阻抗和良好温度稳定性。 其典型应用场景包括: ✅ 电压基准与稳压:为低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC/DAC 参考源)提供精确、稳定的 11 V 基准电压; ✅ 过压保护:与限流电阻配合,用作 I/O 端口或电源输入端的瞬态箝位器件,防止后级 IC 因浪涌或反接受损; ✅ 电源监控与反馈:在简易线性稳压器(如 LDO 或分立三极管稳压电路)中作为采样/反馈基准元件; ✅ 工业与汽车电子辅助电路:适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中的 12 V 电源轨稳压与检测(如电池电压监测阈值设定); ✅ 消费类电子:用于充电管理、LED 驱动恒流源的参考电压生成,或 MCU 复位电路中的电压检测节点。 该器件符合 AEC-Q101 汽车级可靠性标准(具体以数据手册标注为准),具备良好ESD防护能力(HBM ≥ 8 kV),适合空间受限、需高可靠性的便携式及嵌入式应用。注意实际使用时需合理设计散热与限流电阻,确保工作电流在 1–20 mA 典型推荐范围内,以兼顾稳压精度与寿命。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 11V 550MW SOD323F稳压二极管 Diode Zener Single 11V 2% 550mW 2-Pin |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZX84J-B11,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZX84J-B11,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323F |
| 其它名称 | 934060937115 |
| 功率-最大值 | 550mW |
| 功率耗散 | 550 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-90,SOD-323F |
| 封装/箱体 | SC-90 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 11V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 7.2 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 10 欧姆 |
| 齐纳电压 | 11 V |