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- 型号： BZX84C62LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C62LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C62LT1价格参考。ON SemiconductorBZX84C62LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZX84C62LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZX84C62LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C62LT1（MOT品牌，即ON Semiconductor原厂，MOT为早期Motorola标识）是一款SOT-23封装的单齐纳二极管，标称稳压值为62V，容差±5%（典型），最大功率耗散300mW。其主要应用场景包括： 1. 过压保护与箝位：在电源输入端或敏感信号线（如MCU I/O、传感器接口）中，配合限流电阻使用，将瞬态电压箝位在62V附近，防止后级电路因浪涌、ESD或开关噪声而损坏。 2. 基准电压源：在低精度、低成本要求的模拟电路中（如简易稳压器、比较器参考端），提供相对稳定的62V基准（需注意温度系数约−1.5 mV/°C，稳定性有限，不适用于高精度场合）。 3. 电压检测与指示：用于60V左右系统的欠压/过压监测电路，例如电池管理系统（如48V铅酸或锂电组）中的高压阈值检测。 4. 浪涌吸收辅助器件：与TVS或MOV协同工作，在多级防护中承担二级稳压任务，提升系统鲁棒性。 注意事项：该器件反向击穿电流（测试条件IZ=5mA）下工作，需确保功耗不超过300mW（即IZ ≤ 4.8mA），且避免持续大电流工作；SOT-23封装散热能力弱，不适用于高功率稳压场景。典型应用需搭配限流电阻，并注意PCB布局以降低寄生电感影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 62V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BZX84C62LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 43.4V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±6% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 62V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 215 欧姆 |
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