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  • 型号: BZX84C3V3ET1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C3V3ET1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C3V3ET1G价格参考。ON SemiconductorBZX84C3V3ET1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZX84C3V3ET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84C3V3ET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为BZX84C3V3ET1G的器件是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单齐纳二极管,属于低功率齐纳二极管系列。其主要功能是在电路中提供稳定的参考电压。

该器件的齐纳电压为3.3V,常用于以下应用场景:

1. 电压参考:为模拟电路、ADC/DAC或比较器提供稳定的3.3V参考电压。  
2. 电压钳位:保护敏感电子元件免受过电压或静电放电(ESD)损害。  
3. 电源管理:在低压电源系统中用于稳压或作为基准电压源。  
4. 信号调理:在传感器接口电路中用于限制信号幅度或提供偏置电压。  
5. 嵌入式系统:用于微控制器(MCU)或其他数字电路中的电压监测和保护。  

该器件采用SOT-23小尺寸封装,适合空间受限的便携式设备和高密度PCB设计,广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制及汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

BZX84C3V3ET1G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

5µA @ 1V

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

BZX84C3V3ET1GOSCT

功率-最大值

225mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

容差

±6%

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

工作温度

-55°C ~ 150°C

标准包装

10

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3.3V

阻抗(最大值)(Zzt)

95 欧姆

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