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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C3V3ET1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C3V3ET1G价格参考。ON SemiconductorBZX84C3V3ET1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZX84C3V3ET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84C3V3ET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为BZX84C3V3ET1G的器件是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单齐纳二极管,属于低功率齐纳二极管系列。其主要功能是在电路中提供稳定的参考电压。 该器件的齐纳电压为3.3V,常用于以下应用场景: 1. 电压参考:为模拟电路、ADC/DAC或比较器提供稳定的3.3V参考电压。 2. 电压钳位:保护敏感电子元件免受过电压或静电放电(ESD)损害。 3. 电源管理:在低压电源系统中用于稳压或作为基准电压源。 4. 信号调理:在传感器接口电路中用于限制信号幅度或提供偏置电压。 5. 嵌入式系统:用于微控制器(MCU)或其他数字电路中的电压监测和保护。 该器件采用SOT-23小尺寸封装,适合空间受限的便携式设备和高密度PCB设计,广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.3V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BZX84C3V3ET1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | BZX84C3V3ET1GOSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±6% |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.3V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 95 欧姆 |