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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C39LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C39LT1G价格参考。ON SemiconductorBZX84C39LT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZX84C39LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84C39LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C39LT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。其主要应用场景如下: 1. 电压稳压 - BZX84C39LT1G 的齐纳电压为 39V,适合用于电路中的电压稳压功能。它能够将输出电压稳定在 39V 左右,适用于需要精确电压参考的场合。 - 常见应用:电源电路、信号调理电路、传感器接口等。 2. 过压保护 - 在电路中,该齐纳二极管可以用来防止输入或输出电压超过设定值。当电压超过 39V 时,齐纳二极管会导通,将多余的电压泄放到地,从而保护后续电路。 - 应用场景:电子设备输入端的过压保护、通信接口保护等。 3. 基准电压源 - 齐纳二极管可以用作稳定的基准电压源,尤其是在低功耗和低成本的应用中。BZX84C39LT1G 提供了相对稳定的 39V 参考电压。 - 应用场景:模拟电路中的比较器参考电压、ADC/DAC 校准电路等。 4. 信号箝位 - 在信号处理电路中,齐纳二极管可以用来限制信号电压的范围,避免信号幅度过大导致损坏敏感元件。 - 应用场景:音频信号处理、视频信号传输、数据通信线路保护等。 5. 浪涌抑制 - 由于其快速响应特性,BZX84C39LT1G 能够有效抑制瞬态电压浪涌,保护电路免受雷击、开关噪声或其他瞬态事件的影响。 - 应用场景:工业控制设备、家用电器、汽车电子系统等。 6. 电源监控 - 在某些电源监控电路中,齐纳二极管可以用来检测电源电压是否超出正常范围,并触发报警或保护机制。 - 应用场景:电池管理系统、不间断电源 (UPS) 等。 特性总结 - 额定功率:0.5W(典型小功率齐纳二极管) - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C,适合宽温环境下的应用 - 封装形式:SOD-323 封装,小型化设计,适合高密度电路板 综上所述,BZX84C39LT1G 广泛应用于消费电子、工业自动化、通信设备、汽车电子等领域,尤其适合对电压稳定性要求较高的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 39V 225MW SOT23-3稳压二极管 39V 225mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor BZX84C39LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | BZX84C39LT1G |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 27.3V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | BZX84C39LT1GOSCT |
功率-最大值 | 225mW |
功率耗散 | 300 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工作温度 | - |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 50 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 130 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 39V |
电压容差 | 5 % |
电压温度系数 | 37.3 mV/K |
系列 | BZX84C39L |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 130 欧姆 |
齐纳电压 | 39 V |
齐纳电流 | 10 mA |