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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C24-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C24-7-F价格参考。Diodes Inc.BZX84C24-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZX84C24-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84C24-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C24-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景包括: 1. 电压稳压: BZX84C24-7-F 的齐纳击穿电压为 24V,可用于电路中提供稳定的参考电压。例如,在电源电路中,它可以将输出电压稳定在 24V 左右,适用于低功率电子设备的电压调节。 2. 过压保护: 在敏感电路中,该齐纳二极管可以用于防止过高电压对后续电路造成损坏。当输入电压超过 24V 时,二极管导通并将多余电压分流到地,从而保护下游元件。 3. 信号电平调整: 在信号处理电路中,BZX84C24-7-F 可用于限制信号幅度,确保信号电压不会超过特定值。例如,在音频或传感器信号电路中,它可以帮助裁剪过高的信号电平。 4. 基准电压源: 由于其稳定的齐纳电压特性,BZX84C24-7-F 可作为基准电压源,用于比较器、运算放大器或其他需要精确电压参考的应用场景。 5. 浪涌抑制: 在瞬态电压抑制(TVS)应用中,该齐纳二极管可以快速响应电压浪涌并将其钳位在安全范围内,适用于电源线或数据线的保护。 6. 电池充电保护: 在简单电池充电电路中,BZX84C24-7-F 可用于监控电池电压,防止过充。当电池电压达到 24V 时,二极管导通以中断充电电流。 总结来说,BZX84C24-7-F 适合应用于需要稳压、限幅、保护和参考电压的低功率电路中,尤其在消费电子、工业控制和通信设备领域有广泛用途。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 24V 300MW SOT23-3稳压二极管 24V 350mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZX84C24-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZX84C24-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 16.8V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | BZX84C24-FDITR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±6% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工具箱 | /product-detail/zh/Q112680/BZX2-KIT-ND/184354 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 70 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 24V |
| 电压容差 | 6 % |
| 电压温度系数 | 20.2 mV/C |
| 系列 | BZX84C24 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 70 欧姆 |
| 齐纳电压 | 24 V |
| 齐纳电流 | 5 mA |