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  • 型号: BZV85-C43,113
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BZV85-C43,113产品简介:

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BZV85-C43,113 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的单齐纳二极管,标称稳压值为43 V(容差±5%,即约40.9–45.1 V),最大功率为1.3 W,采用DO-41玻璃封装。其典型应用场景包括:

1. 电压基准与稳压:在低功耗、非精密场合提供稳定参考电压,如电源过压保护电路中的阈值检测点或线性稳压器的反馈分压基准。

2. 过压保护(OVP):常与可控硅(SCR)或晶闸管配合构成“撬棍电路”(Crowbar),当输入电压异常升高(如达43 V以上)时触发保护,短路电源输出以保护后级设备。

3. 浪涌/瞬态抑制辅助:虽非TVS器件,但在低成本、低速场合可与电容、电阻组合,吸收小能量脉冲或钳位感应电压尖峰(如继电器线圈关断反电动势)。

4. 工业控制与家电电源:用于AC-DC适配器、LED驱动器、电机控制器等中,实现初级侧电压监测、反馈环路补偿或简单稳压。

注意:该器件属通用齐纳,温度系数较高(约+0.07%/°C)、动态阻抗较大(典型Zzt ≈ 120 Ω),不适用于高精度、低温漂或高频动态稳压场景;设计中需合理降额(如≤0.8 W)并考虑散热。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 43V 1.3W DO41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

NXP Semiconductors

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产品型号

BZV85-C43,113

PCN其它

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1V @ 50mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

50nA @ 30V

供应商器件封装

DO-41

其它名称

568-11026-1

功率-最大值

1.3W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 200°C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

43V

阻抗(最大值)(Zzt)

75 欧姆

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