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BZV55-B27,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-B27,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-B27,115价格参考。NXP SemiconductorsBZV55-B27,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 27V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80C。您可以下载BZV55-B27,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV55-B27,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BZV55-B27,115 是一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。该型号的主要应用场景如下: 1. 电压稳压 BZV55-B27,115 的核心功能是提供稳定的参考电压。它可以在电源电路中用于稳定输出电压,确保负载设备在特定电压范围内正常工作。例如,在低功耗电子设备中,它可以为微控制器或传感器提供稳定的供电电压。 2. 过压保护 该齐纳二极管可以用来防止电路中的瞬时过压损坏敏感元件。例如,在输入端口或信号线路上,当电压超过设定值时,齐纳二极管会导通并将多余的能量泄放到地,从而保护后续电路。 3. 信号电平调整 在模拟电路中,BZV55-B27,115 可用于调整信号电平。通过与电阻等元件配合,它可以将输入信号限制在特定的电压范围内,适用于音频放大器、运算放大器等场景。 4. 基准电压源 由于其稳定的齐纳击穿电压特性(27V),该二极管可以用作精密基准电压源。在需要高精度电压参考的应用中,例如 ADC/DAC 转换器或比较器电路,它可以提供可靠的参考电压。 5. 浪涌抑制 在电源输入或外部接口中,BZV55-B27,115 可以吸收由雷击、开关操作或其他原因引起的电压浪涌,保护电路免受损害。这种应用常见于工业控制设备或汽车电子系统。 6. 电池充电保护 在简单的电池充电电路中,齐纳二极管可用于监控和限制充电电压,确保电池不会因过充而损坏。例如,在小型 NiMH 或铅酸电池充电器中,它可以作为电压上限的检测元件。 总结 BZV55-B27,115 主要应用于需要电压稳压、过压保护、信号调整和基准电压的场景。其 27V 的齐纳电压使其适合中等电压范围的电路设计,广泛应用于消费电子、工业设备、通信设备以及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 27V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-B27,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZV55-B27,115 |
| PCN其它 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 18.9V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | LLDS; MiniMelf |
| 其它名称 | 568-11156-1 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-80C |
| 封装/箱体 | SOD-80 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 最大反向漏泄电流 | 50 nA |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大齐纳阻抗 | 80 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 27V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 22.7 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 80 欧姆 |
| 零件号别名 | BZV55-B27 T/R |
| 齐纳电压 | 27 V |
| 齐纳电流 | 250 mA |