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  • 型号: BZV49-C36,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BZV49-C36,115产品简介:

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BZV49-C36,115 是 NXP USA Inc.(恩智浦)推出的表面贴装型齐纳二极管,标称稳压值为36 V(容差±5%,即34.2–37.8 V),最大稳定电流IZM约36 mA,功率耗散为1.3 W(TO-263/DPak封装,需适当散热)。其主要应用场景包括:

1. 电压基准与稳压:为低压模拟电路、传感器供电或ADC参考源提供稳定的36 V基准电压(常配合限流电阻使用);  
2. 过压保护(OVP):在电源输入端并联使用,钳位瞬态高压(如浪涌、ESD),保护后级IC(如MCU、通信接口芯片)免受36 V以上电压损坏;  
3. 浪涌抑制:适用于工业控制、汽车电子(符合AEC-Q101部分要求)及电源适配器中,吸收开关噪声或感性负载关断产生的反向尖峰;  
4. 反馈环路稳压:在离线式开关电源(如反激变换器)的光耦反馈侧,辅助设定输出电压精度;  
5. 电池管理系统(BMS):用于高串数锂电池组的单体电压监测或均衡电路中的电压箝位。

该器件具备低动态阻抗、良好温度稳定性及高可靠性,适合中等功率、对成本和体积有要求的工业及消费类电子应用。注意:实际使用时需确保功耗不超过额定值,并考虑PCB散热设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 36V 1W SOT89

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BZV49-C36,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1V @ 50mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

50nA @ 25.2V

供应商器件封装

SOT-89-3

其它名称

568-7033-2
933606090115
BZV49-C36 T/R
BZV49-C36 T/R-ND
BZV49-C36,115-ND

功率-最大值

1W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

容差

±5%

封装/外壳

TO-243AA

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

36V

阻抗(最大值)(Zzt)

90 欧姆

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