【BZT52H-C6V2,115/规格参数】厂家_BZT52H-C6V2,115中文资料_价格

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型号： BZT52H-C6V2,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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BZT52H-C6V2,115产品简介：

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BZT52H-C6V2,115 是德州仪器（Texas Instruments）推出的高可靠性齐纳二极管，标称稳压值为6.2 V（容差±5%），采用SOD-123封装，具有低动态阻抗、良好温度稳定性和AEC-Q200兼容性（适用于汽车级应用）。其典型应用场景包括：

1. 电源电压基准与稳压：在低压DC-DC转换器、LDO后级或微控制器供电电路中，为ADC参考源、比较器阈值或传感器偏置提供稳定6.2 V基准；  
2. 过压保护与钳位：与TVS或限流电阻配合，用于I/O端口（如CAN、LIN总线接口、按钮输入、模拟传感器信号线）的瞬态电压钳位，防止ESD或浪涌损坏后级芯片；  
3. 汽车电子系统：得益于AEC-Q200认证，广泛用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、仪表盘及ADAS相关低压电源监控电路中，实现电池电压监测（如检测9–16 V系统中的欠压/过压状态）；  
4. 工业传感器接口：在4–20 mA变送器、RTD/热电偶调理电路中，为运放偏置或基准电路提供低噪声、低温漂的稳压点；  
5. 消费类电子待机电源管理：在智能电表、IoT节点等低功耗设备中，用于辅助电源的简单稳压或复位电路的电压检测。

该器件最大功率耗散为500 mW（需注意PCB散热），反向漏电流低（IR ≤ 5 µA @ 4.5 V），适合空间受限且对长期稳定性要求较高的中低功率场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE ZENER 6.2V 375MW SOD123F稳压二极管 375MW 6.2V
产品分类	单二极管/齐纳分离式半导体
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZT52H-C6V2,115-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BZT52H-C6V2,115
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
不同If时的电压-正向(Vf)	900mV @ 10mA
不同 Vr时的电流-反向漏电流	3µA @ 4V
产品目录绘图
产品种类	稳压二极管
供应商器件封装	SOD-123F
其它名称	568-3783-6
功率-最大值	375mW
功率耗散	830 mW
包装	Digi-Reel®
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
容差	±5%
封装	Reel
封装/外壳	SOD-123F
封装/箱体	SOD-123F
工作温度	-65°C ~ 150°C
工厂包装数量	3000
最大反向漏泄电流	3 uA
最大工作温度	+ 150 C
最大齐纳阻抗	10 Ohms
最小工作温度	- 65 C
标准包装	1
电压-齐纳（标称值）(Vz)	6.2V
电压容差	6 %
电压温度系数	2.05 mV/K
配置	Single
阻抗（最大值）(Zzt)	10 欧姆
零件号别名	BZT52H-C6V2 T/R
齐纳电压	6.6 V