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BZT52H-C36,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52H-C36,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52H-C36,115价格参考。NXP SemiconductorsBZT52H-C36,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 36V 375mW ±5% Surface Mount SOD-123F。您可以下载BZT52H-C36,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZT52H-C36,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZT52H-C36,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。其主要应用场景如下: 1. 电压稳压 - BZT52H-C36,115 的典型齐纳电压为 36V(具体值可能因温度和电流略有变化),适合用作电压稳压器。它可以在电路中提供稳定的参考电压,确保后级电路在一定范围内正常工作。 - 应用实例:电源电路中的电压稳定、信号处理电路中的基准电压源。 2. 过压保护 - 当输入电压超过设定的齐纳电压时,该二极管会导通并将电压钳位到齐纳电压值,从而保护下游敏感元件免受过高电压的影响。 - 应用实例:传感器接口、通信线路的过压保护。 3. 信号电平转换 - 在信号处理电路中,齐纳二极管可以用来限制信号的幅值,将信号电平转换为所需的范围。 - 应用实例:音频信号处理、数据传输线路中的信号整形。 4. 浪涌抑制 - BZT52H-C36,115 能够吸收瞬态电压浪涌,防止电路因雷击或开关操作引起的电压尖峰而损坏。 - 应用实例:工业设备、汽车电子中的瞬态电压抑制。 5. 基准电压源 - 齐纳二极管常用于构建简单的基准电压源,为运放、比较器等模拟电路提供稳定的参考电压。 - 应用实例:电池管理系统、电源监控电路。 特性总结: - 额定功率:较低的功率等级,适用于小信号应用。 - 封装形式:SOD-323FL 封装,小型化设计,适合高密度电路板布局。 - 工作温度范围:广泛的工作温度范围使其适用于各种环境条件下的应用。 这款齐纳二极管适合应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域,特别是在需要简单、低成本解决方案的场景中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE ZENER 36V 375MW SOD123F稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZT52H-C36,115- |
数据手册 | |
产品型号 | BZT52H-C36,115 |
PCN封装 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 25.2V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-123F |
其它名称 | 568-3767-2 |
功率-最大值 | 375mW |
功率耗散 | 830 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123F |
封装/箱体 | SOD-123F |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 50 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 60 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 36V |
电压容差 | 6 % |
电压温度系数 | 33.9 mV/K |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 60 欧姆 |
零件号别名 | BZT52H-C36 T/R |
齐纳电压 | 38 V |