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  • 型号: BZT52H-C36,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BZT52H-C36,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52H-C36,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52H-C36,115价格参考。NXP SemiconductorsBZT52H-C36,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 36V 375mW ±5% Surface Mount SOD-123F。您可以下载BZT52H-C36,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZT52H-C36,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZT52H-C36,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。其主要应用场景如下:

 1. 电压稳压
   - BZT52H-C36,115 的典型齐纳电压为 36V(具体值可能因温度和电流略有变化),适合用作电压稳压器。它可以在电路中提供稳定的参考电压,确保后级电路在一定范围内正常工作。
   - 应用实例:电源电路中的电压稳定、信号处理电路中的基准电压源。

 2. 过压保护
   - 当输入电压超过设定的齐纳电压时,该二极管会导通并将电压钳位到齐纳电压值,从而保护下游敏感元件免受过高电压的影响。
   - 应用实例:传感器接口、通信线路的过压保护。

 3. 信号电平转换
   - 在信号处理电路中,齐纳二极管可以用来限制信号的幅值,将信号电平转换为所需的范围。
   - 应用实例:音频信号处理、数据传输线路中的信号整形。

 4. 浪涌抑制
   - BZT52H-C36,115 能够吸收瞬态电压浪涌,防止电路因雷击或开关操作引起的电压尖峰而损坏。
   - 应用实例:工业设备、汽车电子中的瞬态电压抑制。

 5. 基准电压源
   - 齐纳二极管常用于构建简单的基准电压源,为运放、比较器等模拟电路提供稳定的参考电压。
   - 应用实例:电池管理系统、电源监控电路。

 特性总结:
- 额定功率:较低的功率等级,适用于小信号应用。
- 封装形式:SOD-323FL 封装,小型化设计,适合高密度电路板布局。
- 工作温度范围:广泛的工作温度范围使其适用于各种环境条件下的应用。

这款齐纳二极管适合应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域,特别是在需要简单、低成本解决方案的场景中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 36V 375MW SOD123F稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZT52H-C36,115-

数据手册

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产品型号

BZT52H-C36,115

PCN封装

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不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

50nA @ 25.2V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOD-123F

其它名称

568-3767-2
934059416115
BZT52H-C36 T/R

功率-最大值

375mW

功率耗散

830 mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

SOD-123F

封装/箱体

SOD-123F

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

50 nA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

60 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

36V

电压容差

6 %

电压温度系数

33.9 mV/K

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

60 欧姆

零件号别名

BZT52H-C36 T/R

齐纳电压

38 V

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