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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52H-C2V7,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52H-C2V7,115价格参考。NXP SemiconductorsBZT52H-C2V7,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZT52H-C2V7,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZT52H-C2V7,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZT52H-C2V7,115 是 NXP USA Inc. 推出的高可靠性表面贴装齐纳二极管,标称稳压值为2.7 V(容差±5%),最大功率耗散为500 mW,采用SOD-123封装。其典型应用场景包括: 1. 低电压基准源:为ADC、电压比较器或LDO提供精准、稳定的2.7 V参考电压,适用于便携式设备(如TWS耳机、可穿戴设备)中对功耗和空间敏感的场景。 2. ESD与过压保护:利用其快速钳位特性,配合TVS或串联限流电阻,保护MCU I/O口、传感器接口(如I²C总线)免受瞬态浪涌或静电放电(IEC 61000-4-2 Level 4)损害。 3. 电源轨箝位与稳压:在3.3 V或5 V供电系统中,为低功耗逻辑电路(如GPIO、复位电路)提供2.7 V稳压输出,确保信号电平兼容性与抗干扰能力。 4. 电池电压监测:配合分压电阻用于锂亚硫酰氯(Li-SOCl₂)等低压电池(标称2.8–3.6 V)的欠压检测阈值设定,提升终端设备(如智能表计、IoT节点)续航管理精度。 该器件具备AEC-Q200认证选项(部分版本),亦适用于汽车电子中的非安全关键模块(如车身控制、传感器供电)。其高良率、宽工作温度范围(−65°C 至 +150°C)及优异长期稳定性,使其在工业、医疗及消费类电子中广受信赖。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 2.7V 375MW SOD123F稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZT52H-C2V7,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZT52H-C2V7,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 1V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-3764-6 |
| 功率-最大值 | 375mW |
| 功率耗散 | 830 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123F |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 20 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 83 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 2.7V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | - 1.75 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 83 欧姆 |
| 零件号别名 | BZT52H-C2V7 T/R |
| 齐纳电压 | 2.9 V |