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Datasheet下载- 型号： BZT52H-C10,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
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BZT52H-C10,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52H-C10,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52H-C10,115价格参考。NXP SemiconductorsBZT52H-C10,115封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 10V 375mW ±5% 表面贴装 SOD-123F。您可以下载BZT52H-C10,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZT52H-C10,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 是一家知名的半导体制造商，其型号为 BZT52H-C10,115 的器件是一款 齐纳二极管（Zener Diode），属于单颗齐纳二极管类别。 主要参数特点： - 类型：齐纳二极管（单） - 型号：BZT52H-C10,115 - 齐纳电压：约10V（具体值有一定容差） - 封装形式：SOD-123（小型表面贴装封装） - 功耗较低，适用于中低功率应用 应用场景： 1. 电压参考：BZT52H-C10,115 常用于提供稳定的电压基准，如在电源管理电路、ADC/DAC参考电压中。 2. 过压保护：可用于保护敏感电子元件免受过高电压的影响，如在USB接口、传感器电路中。 3. 稳压电路：适用于低功耗稳压电路中，如为微控制器、逻辑IC等提供稳定电压。 4. 信号调节：在模拟电路中用于电平钳位或信号限幅，确保信号在安全范围内工作。 5. 消费电子：广泛应用于手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中。 6. 工业控制：用于工业传感器、测量设备、自动化控制系统中的电压监测与稳压。 该器件因体积小、响应快、稳定性好，适合用于对空间和性能有要求的现代电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 10V 375MW SOD123F稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZT52H-C10,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZT52H-C10,115 |
| PCN封装 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200nA @ 7V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-3752-2 |
| 功率-最大值 | 375mW |
| 功率耗散 | 830 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123F |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 200 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 10V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 6.25 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 10 欧姆 |
| 零件号别名 | BZT52H-C10 T/R |
| 齐纳电压 | 10.6 V |
| 齐纳电流 | 250 mA |
