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  • 型号: BZT52C9V1S-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52C9V1S-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52C9V1S-7-F价格参考。Diodes Inc.BZT52C9V1S-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZT52C9V1S-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZT52C9V1S-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZT52C9V1S-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景如下:

 1. 电压稳压
   - BZT52C9V1S-7-F 的齐纳电压为 9.1V(±5% 精度),非常适合用于电路中的电压稳压。它能够将输出电压稳定在特定值,即使输入电压或负载发生变化。
   - 应用实例:电源电路中,为低功耗设备提供稳定的参考电压。

 2. 过压保护
   - 在敏感电子设备中,该齐纳二极管可用于防止过高电压对后续电路的损害。当输入电压超过齐纳电压时,二极管会导通并分流多余电流。
   - 应用实例:USB接口、传感器输入端的过压保护。

 3. 信号电平调整
   - 在信号处理电路中,齐纳二极管可以用来限制信号的最大幅度,确保信号电平在安全范围内。
   - 应用实例:音频信号放大器中的电平限制,避免信号失真。

 4. 参考电压源
   - 由于其较高的精度和稳定性,BZT52C9V1S-7-F 可作为参考电压源,用于比较器、模数转换器(ADC)等需要精确电压基准的电路。
   - 应用实例:电池管理系统(BMS)中的电压监测电路。

 5. 浪涌抑制
   - 在电力系统或工业控制中,齐纳二极管可用于吸收瞬态高压(如雷击或开关引起的浪涌),保护后级电路。
   - 应用实例:电机驱动电路、继电器控制电路中的浪涌保护。

 6. 温度补偿电路
   - 结合其他元件(如电阻或晶体管),齐纳二极管可以设计成具有温度补偿功能的电路,以提高系统的稳定性。
   - 应用实例:精密测量仪器中的温度补偿电路。

 特性总结
- 额定功率:0.5W(典型值),适合低功耗应用。
- 工作温度范围:-55°C 至 +150°C,适用于宽温环境。
- 封装形式:SOD-123FL 小型表面贴装封装,便于自动化生产。

总之,BZT52C9V1S-7-F 广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域,特别是在需要稳定电压或保护电路免受过压损害的场景中表现优异。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD323稳压二极管 9.1V 200mW

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZT52C9V1S-7-F-

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产品型号

BZT52C9V1S-7-F

PCN其它

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PCN设计/规格

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

200nA @ 6V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOD-323

其它名称

BZT52C9V1S-FDITR
BZT52C9V1S7F

功率-最大值

200mW

功率耗散

200 mW

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±6%

封装

Reel

封装/外壳

SC-76,SOD-323

封装/箱体

SOD-323

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

200 nA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

15 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

9.1V

电压容差

6 %

电压温度系数

5.4 mV/C

系列

BZT52C9V1

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

15 欧姆

齐纳电压

9.1 V

齐纳电流

5 mA

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