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  • 型号: BZB84-C6V8,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZB84-C6V8,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZB84-C6V8,215价格参考。NXP SemiconductorsBZB84-C6V8,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZB84-C6V8,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZB84-C6V8,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZB84-C6V8,215 是 NXP USA Inc. 推出的双齐纳二极管阵列(SOT-23 封装,含两个独立的 6.8 V 齐纳二极管),主要应用于低功耗、空间受限的电压基准与保护场景。典型应用包括:  
1. 精密电压箝位与过压保护:在 I²C、SPI、GPIO 等低压数字接口中,双向箝位瞬态电压(如 ESD 或开关噪声),防止后级 MCU 或传感器损坏;  
2. 双路电压基准/稳压:为模拟电路(如 ADC 参考源、传感器偏置电路)提供稳定 6.8 V 基准(需配合限流电阻),适用于便携式医疗设备、工业传感器节点;  
3. 反向极性/浪涌保护电路:利用其对称双管结构,实现电源输入端的双向 TVS 功能(IEC 61000-4-2 Level 2 级防护);  
4. 电池供电系统监控:配合分压网络监测锂电池或 3.3 V/5 V 系统电压,触发欠压/过压告警;  
5. 汽车电子辅助电路:符合 AEC-Q200(注:该型号非车规级,但常用于车身控制模块等非安全关键的次级电源管理)。  
其优势在于小尺寸(SOT-23)、低动态阻抗(≈35 Ω)、良好温度稳定性(TC ≈ ±0.05%/°C)及高一致性,适合消费电子、工控和通信终端等对成本与可靠性平衡要求较高的场景。注意:实际使用需严格限制功耗(P<300 mW),并确保散热设计满足规格书要求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER DUAL 6.8V TO236AB

产品分类

二极管/齐纳阵列

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BZB84-C6V8,215

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

2µA @ 4V

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

934061691215

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

容差

±5%

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

工作温度

-

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

6.8V

配置

1 对共阳极

阻抗(最大值)(Zzt)

15 欧姆

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