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  • 型号: BZB84-B9V1,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZB84-B9V1,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZB84-B9V1,215价格参考。NXP SemiconductorsBZB84-B9V1,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZB84-B9V1,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZB84-B9V1,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZB84-B9V1,215 是 NXP USA Inc. 推出的双齐纳二极管阵列(SOT-23 封装,含两个独立的 9.1 V 齐纳管),典型应用包括:

1. 电压钳位与过压保护:用于 USB、I²C、GPIO 等低压数字接口,将瞬态电压(如 ESD 或开关噪声)钳位于 ±9.1 V 范围内,配合 TVS 或限流电阻提升系统鲁棒性。

2. 双极性稳压参考:在低功耗模拟电路中,利用其对称反向击穿特性(正向导通约 0.7 V,反向稳压 9.1 V),构建简易双电源基准或电平移位电路(如±9.1 V 对称参考)。

3. 信号调理与限幅:在音频前端、传感器信号链中,限制输入信号幅值,防止后级运放饱和或 ADC 过载;尤其适用于 3.3 V/5 V 系统中保护精密输入。

4. ESD 防护增强:符合 IEC 61000-4-2 Level 4(±8 kV 接触放电)要求,常作为二级防护器件,与主 TVS 配合实现分层防护策略。

该器件具有低漏电流(≤100 nA @ 7.3 V)、高精度容差(±2%)、小尺寸及热稳定性好等特点,适用于空间受限、需双通道独立保护或对称稳压的工业控制、汽车电子(非安全关键模块)、消费类设备及物联网终端。注意:不可用于主电源稳压,仅适用于小电流(≤10 mA)参考或保护场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER DUAL 9.1V TO236AB稳压二极管 Diode Zener Dual Com Anode9.1V 250mW 3Pin

产品分类

二极管/齐纳阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BZB84_SER.pdf?ecmp=mouser

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZB84-B9V1,215-

数据手册

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产品型号

BZB84-B9V1,215

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 6V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

934061716215

功率-最大值

300mW

功率耗散

300 mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±2%

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工作温度

-

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

500 nA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

15 Ohms

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

正向电压下降

0.9 V at 10 mA

电压-齐纳(标称值)(Vz)

9.1V

电压容差

2 %

电压温度系数

3.8 mV/K

配置

Dual Common Anode

阻抗(最大值)(Zzt)

15 欧姆

齐纳电压

8.92 V

齐纳电流

200 mA

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