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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZB84-B56,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZB84-B56,215价格参考。NXP SemiconductorsBZB84-B56,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZB84-B56,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZB84-B56,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZB84-B56,215 是 NXP USA Inc. 推出的双齐纳二极管阵列(SOT-23 封装),含两个独立、反向串联的 5.6 V 齐纳二极管(标称击穿电压 ±5.6 V,容差通常为 ±5%)。其典型应用场景包括: 1. 双向过压保护(TVS 功能):常用于低速信号线(如 I²C、UART、按键输入、传感器接口)的静电放电(ESD)和瞬态电压抑制,可钳位正负向浪涌,保护后级 MCU 或接口芯片。 2. 电压基准与箝位电路:在模拟前端或ADC参考电路中,提供稳定对称的±5.6 V箝位点;也可用于运放限幅、波形整形等需要双向稳压的场合。 3. 逻辑电平转换/接口保护:适配 3.3 V/5 V 系统间通信,防止信号超限损坏器件。 4. 电源监控与复位电路辅助:配合其他元件实现简单欠压/过压检测或复位信号整形。 该器件具有低动态阻抗、快速响应(纳秒级)、高 ESD 耐受能力(IEC 61000-4-2 Level 4,±8 kV 接触放电),且 SOT-23 封装节省空间,适用于便携式设备、工业控制模块、汽车电子(非安全关键子系统)、消费类电子产品等对成本、尺寸和可靠性有要求的场景。注意:其功率较低(P<300 mW),不适用于大能量浪涌防护,需配合保险丝或限流电阻使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 56V TO236AB稳压二极管 DIODE ZENER DL 56V 300MW |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BZB84_SER.pdf?ecmp=mouser |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZB84-B56,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZB84-B56,215 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 39.2V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934063359215 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 50 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 56V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 52.2 mV/K |
| 配置 | Dual Common Anode |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 200 欧姆 |
| 齐纳电压 | 56 V |