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  • 型号: BZB84-B56,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZB84-B56,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZB84-B56,215价格参考。NXP SemiconductorsBZB84-B56,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZB84-B56,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZB84-B56,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZB84-B56,215 是 NXP USA Inc. 推出的双齐纳二极管阵列(SOT-23 封装),含两个独立、反向串联的 5.6 V 齐纳二极管(标称击穿电压 ±5.6 V,容差通常为 ±5%)。其典型应用场景包括:

1. 双向过压保护(TVS 功能):常用于低速信号线(如 I²C、UART、按键输入、传感器接口)的静电放电(ESD)和瞬态电压抑制,可钳位正负向浪涌,保护后级 MCU 或接口芯片。

2. 电压基准与箝位电路:在模拟前端或ADC参考电路中,提供稳定对称的±5.6 V箝位点;也可用于运放限幅、波形整形等需要双向稳压的场合。

3. 逻辑电平转换/接口保护:适配 3.3 V/5 V 系统间通信,防止信号超限损坏器件。

4. 电源监控与复位电路辅助:配合其他元件实现简单欠压/过压检测或复位信号整形。

该器件具有低动态阻抗、快速响应(纳秒级)、高 ESD 耐受能力(IEC 61000-4-2 Level 4,±8 kV 接触放电),且 SOT-23 封装节省空间,适用于便携式设备、工业控制模块、汽车电子(非安全关键子系统)、消费类电子产品等对成本、尺寸和可靠性有要求的场景。注意:其功率较低(P<300 mW),不适用于大能量浪涌防护,需配合保险丝或限流电阻使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER DUAL 56V TO236AB稳压二极管 DIODE ZENER DL 56V 300MW

产品分类

二极管/齐纳阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BZB84_SER.pdf?ecmp=mouser

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZB84-B56,215-

数据手册

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产品型号

BZB84-B56,215

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

50nA @ 39.2V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

934063359215

功率-最大值

300mW

功率耗散

300 mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±2%

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工作温度

-

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

50 nA

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

56V

电压容差

2 %

电压温度系数

52.2 mV/K

配置

Dual Common Anode

阻抗(最大值)(Zzt)

200 欧姆

齐纳电压

56 V

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