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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BUZ11S2537
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUZ11S2537由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUZ11S2537价格参考。HarrisBUZ11S2537封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUZ11S2537参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUZ11S2537 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUZ11S2537 并非 Harris Corporation（哈里斯公司）的产品，而是由 Philips（飞利浦）/NXP 设计并量产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），封装为 TO-220AB，典型参数：VDSS = 50 V，ID = 30 A，RDS(on) ≈ 40 mΩ。 Harris Corporation（2015年已被L3 Technologies并购，后并入L3Harris Technologies）历史上主营军工通信、航天电子、雷达与集成电路（如高速逻辑、ADC/DAC、抗辐射ASIC），并未设计或生产BUZ11系列MOSFET。该型号常见于飞利浦早期数据手册（如1990年代《Semiconductors Data Book》），且“S2537”为飞利浦内部批次/版本代码。 因此，该器件不属于双极性晶体管（BJT）类别，而是场效应晶体管（FET），与问题中“BJT-单个”分类不符。 其典型应用场景包括： ✅ 直流电机驱动（如汽车风扇、电动车窗）； ✅ 开关电源次级侧同步整流或主开关； ✅ 继电器/电磁阀等感性负载的PWM控制； ✅ 不间断电源（UPS）和电池管理系统中的功率开关。 注意：因属老型号，现多被更高效、低导通电阻的现代MOSFET（如STP30NF50、IRFZ44N替代）。选型时需核对实际数据手册，避免混淆品牌与器件类型。 （字数：298）
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