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- 型号： BUW41B
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUW41B由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUW41B价格参考。HarrisBUW41B封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUW41B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUW41B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUW41B 是一款高功率、高电压NPN型双极结型晶体管（BJT），主要应用于工业级开关与功率放大场景。其典型参数包括：集电极-发射极击穿电压VCEO高达1000 V，连续集电极电流IC达10 A，最大耗散功率Ptot约150 W（配合适当散热器），具备良好的开关特性和二次击穿耐受能力。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）主开关管——适用于大功率离线式AC/DC变换器（如工业电源、UPS后备电源）中，工作在高频硬开关或准谐振模式； 2. 电机驱动与电磁控制——用于直流电机H桥驱动、电磁阀/继电器驱动电路，尤其适合需承受感性负载反电动势的场合； 3. 高压脉冲发生器与放电电路——如激光驱动器、X射线发生器、电容放电点火系统（CDI）等需要快速导通与高耐压能力的脉冲应用； 4. 音频功率放大器输出级（限于低频大功率）——虽非主流Hi-Fi器件，但在专业广播发射机末级或大功率公共广播功放中仍有使用。 注意：BUW41B为老款硅功率BJT（已逐步被IGBT或超结MOSFET替代），设计时需严格注意基极驱动电流（需足够大以确保饱和导通）、散热设计及二次击穿保护（建议加装缓冲吸收网络）。不推荐用于高频（>100 kHz）或高效率要求严苛的新设计中。
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