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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BUK9E1R9-40E,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9E1R9-40E,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9E1R9-40E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK9E1R9-40E,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK9E1R9-40E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9E1R9-40E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK9E1R9-40E,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装。其关键参数包括：耐压 40 V、导通电阻典型值仅 1.9 mΩ（VGS = 10 V）、连续漏极电流高达 120 A（Tc = 25°C），具备低开关损耗与优异热性能。 该器件主要应用于中高功率、高效率的直流负载开关与电源管理场景，典型应用包括： ✅ 汽车电子：车身控制模块（BCM）中的座椅/车窗/灯光驱动；电动助力转向（EPS）辅助电源开关；12 V/48 V 轻混系统中的 DC-DC 同步整流与负载切换；符合 AEC-Q101 可靠性认证，支持严苛车载环境。 ✅ 工业电源：服务器/通信设备的 ORing（冗余电源二极管替代）、热插拔保护、POL（点负载）稳压器同步整流开关。 ✅ 电动工具与电池供电设备：无刷电机驱动的半桥/高边开关，得益于低 RDS(on) 和逻辑电平驱动（可直接由 MCU 的 3.3 V/5 V GPIO 驱动），简化驱动电路并提升能效。 其 LFPAK56 封装兼具小尺寸与强散热能力，适合空间受限且需高功率密度的设计。综上，该 MOSFET 适用于对导通损耗、开关速度、可靠性和驱动简易性要求较高的中压大电流开关场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK9E1R9-40E,127 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | TO-262-3 |
| 其它名称 | 568-9870-5 |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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