Datasheet下载- 型号： BUK9E15-60E,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9E15-60E,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9E15-60E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK9E15-60E,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK9E15-60E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9E15-60E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK9E15-60E,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单管），采用 TO-220AB 封装，具有 60 V 漏源电压（VDS）、15 mΩ 典型导通电阻（RDS(on) @ VGS = 10 V）、连续漏极电流达 48 A（Tc = 25°C），并支持 3.3 V/5 V 微控制器直接驱动（低阈值电压，VGS(th) 典型值 1.7 V）。 其主要应用场景包括： ✅ 汽车电子：符合 AEC-Q101 认证，广泛用于车身控制模块（如车窗升降、座椅调节、雨刮器、LED 大灯调光/开关）、发动机舱辅助负载开关及电池管理系统（BMS）中的预充电/隔离电路。 ✅ 工业控制：适用于 PLC 输出模块、继电器替代、直流电机驱动（如风扇、泵）、电源负载开关及 DC-DC 转换器的同步整流或高压侧开关。 ✅ 消费与家电：用于智能家电（洗衣机、空调）的电机控制、加热元件通断、电源管理单元（PMU）中的高效负载切换。 ✅ 通用电源应用：作为高效率、低热耗的功率开关，用于开关电源（SMPS）、LED 驱动电源及过流保护电路。 该器件具备雪崩耐量（UIS）、低开关损耗和强抗 ESD 能力，适合中高功率、高可靠性要求的直流开关场景，尤其在需兼顾能效、尺寸与驱动简易性的车载及工业嵌入式系统中表现突出。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK9E15-60E,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2651pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-9868-5 |
| 功率-最大值 | 96W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 54A （Ta） |
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