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- 型号： BUK969R0-60E,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK969R0-60E,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK969R0-60E,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK969R0-60E,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK969R0-60E,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK969R0-60E,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK969R0-60E,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，额定电压 60 V，导通电阻典型值仅 9.0 mΩ（VGS = 10 V），连续漏极电流达 120 A（Tc = 25°C），具备低开关损耗与强鲁棒性（通过 AEC-Q101 认证）。 其主要应用场景集中于汽车电子和工业电源领域： ✅ 汽车电子：广泛用于车身控制模块（BCM）、车窗/座椅/雨刮电机驱动、LED 车灯调光/开关、启动继电器替代（固态继电器 SSR）、电动助力转向（EPS）辅助电路及电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关。 ✅ 工业与电源应用：适用于 DC-DC 降压转换器（如 POL 点对点电源）、高效率开关电源（SMPS）的同步整流、电机驱动板（如小型风机、泵类负载）、智能断路器及热插拔（Hot-swap）保护电路。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 低至 1–2.5 V），可直接由 MCU 或 FPGA GPIO 控制；内置 ESD 保护与雪崩耐量（UIS），提升系统可靠性；封装兼容传统通孔安装，便于散热设计。 综上，BUK969R0-60E,118 凭借低 RDS(on)、高电流能力与车规级认证，特别适用于对效率、尺寸与可靠性要求严苛的中高压直流功率开关场景。（字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK969R0-60E,118 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29.8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9894-1 |
| 功率-最大值 | 137W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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