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Datasheet下载- 型号： BUK9515-60E,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK9515-60E,127产品简介：
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BUK9515-60E,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单管），采用 TO-220AB 封装，具有 60 V 漏源电压（VDS）、15 A 连续漏极电流（ID，Tc=25°C）及低导通电阻（RDS(on) 典型值仅 22 mΩ @ VGS=10 V，逻辑电平驱动下亦可良好导通）。其内置齐纳二极管保护栅源极，具备较强 ESD 和雪崩耐受能力。 该器件主要应用于中功率开关场景，典型包括： ✅ 汽车电子：如车身控制模块（BCM）中的车灯（前照灯、雾灯、转向灯）驱动、雨刷电机、座椅调节电机、风扇控制等；符合 AEC-Q101 认证，支持 12 V/24 V 车载系统。 ✅ 工业控制：PLC 输出模块、继电器替代、DC-DC 同步整流、电源负载开关、电机启停控制等。 ✅ 消费与家电：智能插座、电动工具电池保护电路、LED 驱动调光开关、小型泵/阀驱动等需可靠、低热损的中速开关应用。 其逻辑电平特性（VGS(th) 低至 1–2.5 V，VGS=4.5 V 即可充分导通）便于直接由 MCU（如 ARM Cortex-M、8/16 位单片机）IO 口驱动，无需额外驱动芯片，简化设计并降低成本。 注意：实际使用需配合合理散热（TO-220 需安装散热器）、栅极驱动电阻（抑制振荡）及反向感性负载续流保护（如续流二极管）。 综上，BUK9515-60E,127 是一款高可靠性、易用性强的车规级中功率开关MOSFET，适用于对安全性、温度稳定性及驱动简易性有要求的12–24 V直流开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 54A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK9515-60E,127 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2651pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.5nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-9858-5 |
| 功率-最大值 | 96W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 54A （Tc） |
