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Datasheet下载- 型号： BUK7Y10-30B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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BUK7Y10-30B,115产品简介：
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BUK7Y10-30B,115 是 Nexperia（安世半导体）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 30 mΩ @ VGS = 10 V）、高雪崩耐量及AEC-Q101车规认证。其典型应用场景包括： - 汽车电子：车载电源管理（如LED前照灯驱动、车身控制模块BCM中的负载开关）、雨刷/车窗电机驱动、座椅调节电机控制等；得益于-40°C~175°C结温范围与高可靠性，适用于严苛车载环境。 - 工业控制：PLC输出模块、继电器替代、DC-DC转换器同步整流、电机启停控制及电源热插拔保护。 - 消费与家电：智能家电（如洗衣机、空调压缩机辅助驱动）、电动工具电池保护电路、USB-PD或快充协议中的负载开关。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 低至1.0–2.1 V），可直接由MCU GPIO控制，简化驱动设计；内置ESD保护与强抗dv/dt能力，提升系统鲁棒性。广泛用于中低功率（≤60 W）、中频（<100 kHz）开关场景，强调高效率、小尺寸与长期可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK7Y10-30B,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1183pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-5512-6 |
| 功率-最大值 | 85W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 67A （Tc） |
