Datasheet下载- 型号： BUK7E4R6-60E,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7E4R6-60E,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7E4R6-60E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK7E4R6-60E,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK7E4R6-60E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK7E4R6-60E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.的BUK7E4R6-60E,127是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点，适用于多种电源管理和功率转换场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器等，提高电源转换效率，常见于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块中。 2. 负载开关：作为高效电子开关控制电源分配，如在电池管理系统或智能配电系统中使用。 3. 马达驱动：用于电动工具、无人机或小型电动车中的电机控制电路，提供快速开关响应和低损耗。 4. LED照明驱动：在高亮度LED驱动电路中作为调光开关，支持PWM调光方式，实现高效稳定输出。 5. 工业自动化与控制系统：应用于PLC、传感器供电及执行机构控制，具备良好的耐用性和稳定性。 6. 消费类电子产品：如智能手机充电器、无线充电板等便携设备中，因其小封装和高效能受到青睐。 该MOSFET采用TISON/DFN1006-6封装，适合表面贴装，节省空间并便于自动化生产。其额定电压为60V，导通电阻极低（典型值为4.6mΩ），可支持较高电流负载，同时降低功耗和发热，提升整体系统效率和可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK7E4R6-60E,127 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6230pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 82nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-9855-5 |
| 功率-最大值 | 234W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
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